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三星即将推出的3纳米芯片制造工艺可能使智能手机处理器的功耗降低50%。

三星表示,三星有望从2021年开始大规模生产3nm芯片。 3nm芯片的改进版本将在明年推出。

该公司半导体业务的高管对记者表示,这项技术有望生产出比三星目前的7nm芯片制造工艺能耗低50%的处理器,同时性能提高35%。 就表面积而言,3nm工艺将使芯片缩小约45%。

设备制造商是否会使用该技术是另一回事。 在台湾台积电为苹果,高通,英伟达和AMD生产芯片的时候,三星正在开发其在计算机处理器行业的领先地位。 在会议期间,该公司本身表示,台积电的半导体业务是其自身规模的三倍。

但是,三星希望借助即将推出的3nm芯片制造技术吸引更多的客户。 为了生产下一代芯片,该公司依靠其“全栅”晶体管架构,该架构是FinFET技术的后继产品。

三星代工市场主管Ryan Lee表示:“我们的研究中心一直在努力寻找3nm以上功率降低的新方法。 “他们的解决方案是使用全能门是最好的方法。”

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三星工程师Yongjoo Jeon告诉PCMag,由于省电,这种3nm技术应该会吸引移动处理器厂商。 该公司还希望高性能计算制造商也考虑采用技术制造芯片。

但是,三星并不孤单地尝试开发该技术。 据报道,台积电斥资195亿美元在台湾建立新的3nm芯片制造厂。 台积电最大的客户之一也是AMD,AMD一直在与英特尔竞争以生产更快,更节能的芯片。